2026年7月3日、キオクシア株式会社は、第10世代「BiCS FLASH™」3次元フラッシュメモリを採用した1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始したと発表した。AIデータセンター向けSSDへの搭載を想定し、高性能・大容量・低消費電力を実現することで、急拡大するAIインフラ需要への対応を強化する。
第10世代BiCS FLASH™でAI向けSSDを強化
今回サンプル出荷が始まったのは、第10世代BiCS FLASH™を採用した1Tb TLC製品である。主にエンタープライズ・データセンター向けSSDへの搭載を想定しており、高性能なAIシステムで増え続けるストレージ需要への対応を目的としている。生産は岩手県北上市の北上工場第2製造棟の最新設備で行われる。
第10世代BiCS FLASH™は、第8世代から採用するCBA（CMOS directly Bonded to Array）（※1）技術とOPS（On Pitch Select Gate Drain）（※2）技術を活用し、NANDインターフェース速度を第8世代比で33％向上させ、最大4.8Gb/秒を実現した。
また、積層数を332層へ拡大し、平面方向の高密度化によってビット密度は59％向上した。さらに、書き込み時の電力効率は18％、読み出し時は30％改善しており、高性能化と省電力化を両立している。
キオクシアは、高性能と投資効率を重視する第9世代製品と、大容量・高性能を追求する第10世代製品を並行展開する二軸戦略を進めている。今回の製品もその一環として位置付けられ、AIインフラ向け製品ラインアップの拡充を担う。
※1 CBA（CMOS directly Bonded to Array）：CMOS回路とメモリセルアレイを別々に製造し、ウエハーボンディング技術で接合する構造。高性能化・高密度化を実現する技術。
※2 OPS（On Pitch Select Gate Drain）：未使用のメモリホールを削減してビットラインを短縮し、ワードライン容量を低減することで、高速化と電力効率向上を実現する技術。
AIインフラ拡大で省電力メモリ競争が加速
生成AIの普及に伴い、データセンターではGPUだけでなく、大量のデータを高速かつ効率的に処理するストレージ性能の重要性も高まっている。そのため、処理速度だけではなく、消費電力を抑えられるフラッシュメモリの需要は今後さらに拡大する可能性が高い。
今回の製品は性能向上と電力効率改善を両立しており、データセンターの運用コストや冷却負荷の低減につながる点は大きなメリットと言える。一方で、発表された製品はサンプル段階であり、量産時の歩留まりやコスト競争力、安定供給体制などは、市場での普及を左右する要因となる可能性がある。
また、AI向けNAND市場では各社が次世代製品の開発を進めており、技術開発競争は今後さらに激しくなる可能性がある。今後は容量や速度だけではなく、電力効率や製造コストまで含めた総合力が競争軸となり、AIインフラを支える基盤技術として3次元フラッシュメモリの重要性はさらに高まっていくと考えられる。
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