AIブームが牽引するHBM市場、2035年に販売台数15倍の見通し

AI技術の急速な進展に伴い、高帯域幅メモリ（HBM）の需要が急増している。
米カリフォルニア州サンノゼで2025年3月17～21日（米国時間）に開催されたイベント「GTC（GPU Technology Conference）2025」で、SK hynixがAIサーバ向けの12層HBM3Eデバイスを展示した。現在開発中の12層HBM4も披露し、2025年後半の量産に向けた準備が完了したと明かした。

HBMの技術的特性とAI市場での役割

HBMは、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねる3D積層構造を採用しており、シリコン貫通電極（TSV ※）を使用して高い帯域幅を実現している。
この設計により、チップ間のデータ転送距離が短縮され、高速かつ効率的なデータ処理が可能となる。

特に、GPUやAIアクセラレーターと組み合わせることで、複数のメモリ要求を同時に処理し、データ集約型のワークロードにおけるメモリボトルネックを解消する役割を果たしている。これにより、AIモデルの学習や推論処理が高速化され、全体的なパフォーマンス向上に寄与している。

HBM市場の成長に伴い、主要な半導体メーカーも積極的な動きを見せている。
Micron Technologyは、2025年分のHBMチップがすでに完売したと報じられており、需要の高さがうかがえる。

一方、SK hynixはAIサーバ向けの12層HBM3Eデバイスを展示し、さらなる技術革新を進めている。

市場調査会社IDTechExの予測によれば、HBMデバイスの販売台数は2035年までに2024年の15倍に増加する見込みであり、HBM4メモリデバイスの登場により、この成長はさらに加速すると考えられている。
また、Mordor Intelligenceの市場調査によれば、HBM市場は2024年に約25億2,000万米ドルの規模に達し、2029年までに年平均成長率（CAGR）25.86%で成長すると予測されている。

これらの動向から、HBMは今後のAIおよびHPC市場において不可欠な技術として、その地位を確立していくと予想される。

※シリコン貫通電極（TSV）：シリコンチップを垂直に貫通する微細な配線技術で、積層されたチップ間で直接データをやり取りできるようにする。

今後の展望

高帯域幅メモリ（HBM）の市場は、AI技術の進化とデータセンターの需要増加に伴い、今後も大きな成長が見込まれる。
特に、AIモデルの学習や推論処理におけるデータ処理速度の向上が求められる中、HBMはその高い帯域幅とエネルギー効率で重要な役割を果たすと考えられる。

一方で、HBMの製造コストや技術的課題も依然として存在する。製造プロセスの成熟とスケールの拡大により、コスト削減が期待されるが、これらの課題を克服することが市場拡大の鍵となるだろう。

さらに、中国の長鑫存儲技術（CXMT）など新興企業の台頭も注目されており、既存の主要メーカーにとって新たな競争要因となる可能性がある。

総じて、HBM市場は今後も成長が期待されるが、技術革新、コスト削減、そして新興企業との競争といった要素が、その成長を左右する重要なポイントとなると考えられる。